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Electron Beam Lithography

Facility/equipment: Equipment

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    コラボレーションセンター 2階208号室

    Japan

Equipments Details

Description

電子線に感光する樹脂薄膜にナノメートルからマイクロメートルのパターンを描画する装置です。
電子デバイス、光学デバイス、集積回路などの試作品の開発や、半導体チップの原盤となるマスクの作製に用いられます。
仕様 加速電圧: 50kV,30kV,20kV 最小電子ビーム径: 2nm (於 50kV) 描画最小線幅: 10nm (於 50kV) 描画フィールドサイズ: 最大 1.5x1.5mm(3x3mm 於 20kV) 最小 100μm x 100μm 最大試料サイズ: 4インチφウエハーおよび□4インチマスク 特色 ・静電型のビーム偏向器を改良し、1mm□の大面積フィールドに於いても、低歪みで均一な露光が可能。 ・高精度リニアエンコーダを搭載し、ステージ位置とビーム位置へのフィードバックにより、つなぎ精度100nm(3σ)以下を実現。 ・オート機能の充実により、ビーム調整や描画スタート時の煩わしい操作を大幅に簡略化

Fingerprint

Explore the research areas in which this equipment has been used. These labels are generated based on the related outputs. Together they form a unique fingerprint.