抵抗加熱酸化膜蒸着装置

高真空中(10-1～10-2 Pa)において、SiOxなどの酸化物材料を酸素ガスを導入しながら抵抗加熱により蒸発させることで、酸化物薄膜を作製することができる。半導体研究、ナノテクノロジー研究などに用いられる装置である。
ターボ分子ポンプ排気による高真空中(10-1～10-2 Pa)において、酸化物材料(主にSiOx)を酸素ガスを導入しながら抵抗加熱蒸着することができる。膜厚計と手動シャッターによる膜厚制御、および加熱水冷一体型基板ホルダによる基板の温度制御が可能である。